英飞凌氮化镓晶体管

英飞凌GaN HEMT氮化镓晶体管产品解决方案

英飞凌高性能 CoolGaN™ 增强模式 HEMT 将采用顶部及底部冷却型 SMD 封装。可在相应应用中实现极高的效率和功率密度，以及极佳的热性能。此类增强模式 GaN HEMT 晶体管针对消费和工业应用， 如服务器、 数据通信、电信通信、适配器/充电器、无线充电, 及音频产品 ，具备市场上无出其右的耐用性能。

英飞凌GaN HEMT氮化镓晶体管具体应用

英飞凌氮化镓CoolGaN™系列为许多应用中的各种系统增添了重要价值。此类增强模式 HEMT 针对消费和工业应用，如 4G/5G、数据通信、电信通信、 WIFI， 具备市场上无出其右的耐用性能。在服务器电源和电信通信应用等高功率应用中使用英飞凌GaN HEMT器件，可以节省成本，并提高每个机架的功率。得益于其硬开关能力，还可实现更简易的控制方案，同时与最佳的硅替代产品相比，更具效率优势。随着对更快的数据通信需求的增加，用于 5G 应用的 GaN HEMT 将实现更高的效率和极快的开关速度。

英飞凌GaN HEMT氮化镓晶体管产品特性

1.英飞凌的CoolGaN集成功率级(IPS)利用了市场上最可靠的GaN和驱动器技术，将极致的效率和可靠性与易用性结合在一起。CoolGaN IPS将cool GaN常关增强型GaN开关与专用的集成式EiceDRIVER栅极驱动器结合到散热增强型QFN封装中。这种集成允许设计人员在减小无源元件尺寸的同时节省更多PCB空间，从而在更短的时间内实现更小的外形设计。

2.CoolGaN出色的可靠性、高性能和稳定性为服务器、超大规模数据中心、电信、无线充电、适配器和充电器、SMPS和音频等众多应用领域的各种系统增加了重要价值。为了使CoolGaN开关更易于使用和设计，我们提供了专用的GaN EiceDRIVERICs。借助英飞凌的系统解决方案，包括晶体管和驱动器，您可以充分利用GaN的优势。