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美光内存

作者:建州电子 发布时间:2023-08-16 15:54点击:

DRAM

无论您的设计需要高速、低功耗、高带宽、高密度还是超低延迟,我们的DRAM解决方案都能提供您只能从世界技术领袖那里获得的最佳功能、可靠性和性能组合。

 

DRAM模组

您可以依靠我们的模块来确保质量和可靠性 - 从开始到结束 - 都在我们自己的晶圆厂。我们自己设计、制造和测试 DRAM,然后再次组装和测试存储器模块,由此构成我们广泛的模块组合。 图形内存 以我们的高密度、高带宽 GDDR5、GDDR5X 和 GDDR6 显存,满足图形处理的巨大需求。它们的离散设计简化了集成,使其成为下一代高性能应用的理想选择。

 

托管NAND

NAND闪存对日益复杂的纠错和数据管理的要求是摆在嵌入式设计师面前的一道难题。我们的eMMC、UFS和SSD等全托管设备通过在内部处理媒体管理和纠错码(ECC),有助于近乎无缝实现技术转型。托管NAND释放了主机控制器,从而提高速度和系统性能——节省了大量软硬件开发资源。我们的标准化程序包同样简化了设计过程,有助于缩短上市时间。

 

多芯片封装

通过我们广泛的行业标准MCP产品组合,为您的设计提供关键特性和功能,包括高性能、高质量、高功效、宽密度范围、小封装尺寸和工业温度范围。

 

NAND闪存

我们在工艺和设计上的持续创新不断推动闪存发展,不断采用先进技术就是其绝佳证明。我们提供多样化的产品组合,其特点、功能和性能独树一帜。

 

NOR闪存

NOR闪存设备可用的密度高达2Gb,主要用于可靠代码存储(启动、应用程序、操作系统和嵌入式系统的就地执行[XIP]代码)以及频繁更改的小数据存储。NOR闪存为系统提供了易于实现、速度最快的可启动存储解决方案,并且因其底层单元结构的缘故,所以只需极少的持续管理。NOR闪存因其底层单元结构的缘故,天生就比其他解决方案可靠。

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